삼성전자가 침체된 메모리 반도체 경쟁력을 되찾기 위한 반전의 카드로 차세대 D램 'D1c' 대규모 투자에 착수했다. AI 시대의 핵심 메모리인 HBM4 시장에서 SK하이닉스를 추격하겠다는 강한 의지를 드러낸 것으로 해석된다.
전영현 직접 챙기는 전략 제품 D1c
6일 업계에 따르면 삼성전자는 10나노미터(㎚)급 6세대 D램인 'D1c' 양산을 위한 반도체 장비 구매발주(PO)를 본격 시작했다. 이는 전영현 부회장이 개발을 직접 챙길 정도로 회사가 총력을 기울이고 있는 전략 제품이다.
업계 관계자는 "삼성전자가 D1c 양산을 위해 동시다발적인 발주를 추진하고 있다"며 "다수 팹(공장)에서 라인이 조성될 예정"이라고 밝혔다. 어닐링 등 일부 장비는 이미 주문을 완료했으며, 증착 장비와 패키징 장비 공급사도 선정 중인 것으로 파악됐다.
월 20만장 규모 생산능력 목표
투자는 기존 라인 전환과 신규 라인 조성이 동시에 진행된다. 평택 2·3공장(P2·P3)의 기존 D1x·D1y·D1z 라인을 D1c 생산라인으로 전환하고, 평택 4(P4) 공장에는 신규 투자가 이뤄진다.
업계는 이번 투자로 삼성전자가 내년 상반기까지 웨이퍼 투입량 기준 월 15만~20만장 규모의 D1c 생산능력을 갖출 것으로 전망하고 있다. 이는 2022년 반도체 호황기 투자 규모(약 13만장)를 상회하는 것으로, 대량 생산 체제 구축에 대한 강한 의지를 보여준다.
HBM 시장에서 SK하이닉스 추격
D1c가 주목받는 이유는 삼성의 HBM4에 핵심 구성요소로 사용되기 때문이다. 회로 선폭이 11~12㎚ 수준인 D1c는 삼성전자가 최근 개발을 완료하고 양산 이관을 위한 승인 작업(PRA)을 끝마친 상태다.
현재 HBM 시장은 SK하이닉스가 압도적 우위를 점하고 있다. 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% 순이다. SK하이닉스는 엔비디아 공급 물량의 90% 이상을 장악하며 시장을 주도하고 있다.
HBM 메모리 구조와 특징 [SK하이닉스 뉴스룸]
삼성전자는 HBM3E에서 고전하며 엔비디아 공급에 난항을 겪었으나, 연말 생산을 목표로 하는 HBM4로 반전을 도모하고 있다. 특히 D1c 기반의 HBM4는 베이스 다이에 선단 로직 공정을 적용해 전 세대 대비 성능과 에너지 효율을 크게 개선했다고 회사 측은 설명했다.
후방 산업계에도 긍정적 파급효과
삼성전자의 차세대 D램 투자 재개는 반도체 장비 업계에도 반가운 소식이다. 실적 악화로 계획을 지연했던 삼성전자가 대규모 투자에 나서면서 관련 업계 전반에 활력을 불어넣을 것으로 기대된다.
반도체 장비 업계 관계자는 "평택뿐 아니라 화성, 패키징을 담당하는 천안 팹에서도 D1c 투자와 관련된 장비 발주가 논의되고 있다"며 "삼성전자 발(發) 훈풍이 예상된다"고 밝혔다.
2026년 메모리 왕좌 탈환 도전
노무라는 최근 보고서에서 "삼성전자가 내년부터 HBM4 양산을 시작해 2026년 2분기에 엔비디아 공급망에 들어갈 것"이라고 전망했다. 삼성전자가 HBM4 성공을 통해 2026년 메모리 반도체 1위 자리를 되찾을 수 있을지 업계의 관심이 집중되고 있다.
업계는 양산품의 실제 성능과 고객사 승인 등 아직 거쳐야 할 관문이 남아있지만, 삼성전자가 D1c 성능에 자신감을 바탕으로 대규모 투자를 준비 중인 것으로 해석하고 있다. HBM4 시장에서 주도권을 회복하겠다는 의지가 투자 규모에 고스란히 반영된 것으로 분석된다.
한편, SK하이닉스도 차세대 HBM 공급 가격을 대폭 인상하며 엔비디아와 협상을 벌이는 등 HBM 시장의 경쟁이 더욱 치열해지고 있어, 삼성전자의 반격이 성공할지 주목된다.
삼성전자가 침체된 메모리 반도체 경쟁력을 되찾기 위한 반전의 카드로 차세대 D램 'D1c' 대규모 투자에 착수했다. AI 시대의 핵심 메모리인 HBM4 시장에서 SK하이닉스를 추격하겠다는 강한 의지를 드러낸 것으로 해석된다.
전영현 직접 챙기는 전략 제품 D1c
6일 업계에 따르면 삼성전자는 10나노미터(㎚)급 6세대 D램인 'D1c' 양산을 위한 반도체 장비 구매발주(PO)를 본격 시작했다. 이는 전영현 부회장이 개발을 직접 챙길 정도로 회사가 총력을 기울이고 있는 전략 제품이다.
업계 관계자는 "삼성전자가 D1c 양산을 위해 동시다발적인 발주를 추진하고 있다"며 "다수 팹(공장)에서 라인이 조성될 예정"이라고 밝혔다. 어닐링 등 일부 장비는 이미 주문을 완료했으며, 증착 장비와 패키징 장비 공급사도 선정 중인 것으로 파악됐다.
월 20만장 규모 생산능력 목표
투자는 기존 라인 전환과 신규 라인 조성이 동시에 진행된다. 평택 2·3공장(P2·P3)의 기존 D1x·D1y·D1z 라인을 D1c 생산라인으로 전환하고, 평택 4(P4) 공장에는 신규 투자가 이뤄진다.
업계는 이번 투자로 삼성전자가 내년 상반기까지 웨이퍼 투입량 기준 월 15만~20만장 규모의 D1c 생산능력을 갖출 것으로 전망하고 있다. 이는 2022년 반도체 호황기 투자 규모(약 13만장)를 상회하는 것으로, 대량 생산 체제 구축에 대한 강한 의지를 보여준다.
HBM 시장에서 SK하이닉스 추격
D1c가 주목받는 이유는 삼성의 HBM4에 핵심 구성요소로 사용되기 때문이다. 회로 선폭이 11~12㎚ 수준인 D1c는 삼성전자가 최근 개발을 완료하고 양산 이관을 위한 승인 작업(PRA)을 끝마친 상태다.
현재 HBM 시장은 SK하이닉스가 압도적 우위를 점하고 있다. 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% 순이다. SK하이닉스는 엔비디아 공급 물량의 90% 이상을 장악하며 시장을 주도하고 있다.
삼성전자는 HBM3E에서 고전하며 엔비디아 공급에 난항을 겪었으나, 연말 생산을 목표로 하는 HBM4로 반전을 도모하고 있다. 특히 D1c 기반의 HBM4는 베이스 다이에 선단 로직 공정을 적용해 전 세대 대비 성능과 에너지 효율을 크게 개선했다고 회사 측은 설명했다.
후방 산업계에도 긍정적 파급효과
삼성전자의 차세대 D램 투자 재개는 반도체 장비 업계에도 반가운 소식이다. 실적 악화로 계획을 지연했던 삼성전자가 대규모 투자에 나서면서 관련 업계 전반에 활력을 불어넣을 것으로 기대된다.
반도체 장비 업계 관계자는 "평택뿐 아니라 화성, 패키징을 담당하는 천안 팹에서도 D1c 투자와 관련된 장비 발주가 논의되고 있다"며 "삼성전자 발(發) 훈풍이 예상된다"고 밝혔다.
2026년 메모리 왕좌 탈환 도전
노무라는 최근 보고서에서 "삼성전자가 내년부터 HBM4 양산을 시작해 2026년 2분기에 엔비디아 공급망에 들어갈 것"이라고 전망했다. 삼성전자가 HBM4 성공을 통해 2026년 메모리 반도체 1위 자리를 되찾을 수 있을지 업계의 관심이 집중되고 있다.
업계는 양산품의 실제 성능과 고객사 승인 등 아직 거쳐야 할 관문이 남아있지만, 삼성전자가 D1c 성능에 자신감을 바탕으로 대규모 투자를 준비 중인 것으로 해석하고 있다. HBM4 시장에서 주도권을 회복하겠다는 의지가 투자 규모에 고스란히 반영된 것으로 분석된다.
한편, SK하이닉스도 차세대 HBM 공급 가격을 대폭 인상하며 엔비디아와 협상을 벌이는 등 HBM 시장의 경쟁이 더욱 치열해지고 있어, 삼성전자의 반격이 성공할지 주목된다.